固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如，模块化部分和接收器或解调器部分。无需在隔离侧使用单独的电源，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

此外，并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、以创建定制的 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，